Группа российских исследователей создала концепцию уникальных методов для получения полупроводниковых материалов, благодаря которой станет возможным производство компактных, но при этом мощных лазерных устройств, превосходящих своей функциональностью существующие аналоги на рынке.

Научные деятели применили эпитаксию из газовой фазы, которая является контролируемым и высокоточным процессом реализации гетероструктур. В проекте сделан акцент на повышение эффективности и яркости лазера, а селективная многостадийная эпитаксия полупроводниковых наногетероструктур станет основой для этого. Технология позволяет внедрять многомерные 3D-структуры, оснащенные волноводами и местами усиления, что способствует качественной работе полупроводниковых лазерных механизмов с мощным световым излучением.

Прототипы устройств имеют компактные элементы, поэтому их можно расположить прямо на поверхности чипа. Такие лазеры станут востребованными не только у отечественных, но и у зарубежных производителей современных транспортных средств. Если взять в пример беспилотные автомобили, то таким машинам необходимы радары на базе лазерной системы.